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格芯宣布推出基于行业领先的22FDX FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

发布日期:2017-09-27 15:02:49 【关闭】
摘要:格芯宣布推出基于行业领先的22FDX FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器
        格芯宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI 平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDXeMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。        正如近期在美国所展示的,格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸,拥有在260°C回流焊中保留数据的能力,同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。这项行业领先的技术优势使其能够被用于通用、工业和汽车领域的微控制器单元。FDXTM和eMRAM的能效连同射频连接功能和毫米波IP,使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统的理想平台。           22FDXeMRAM和射频解决方案的工艺设计工具包现已发布。面向22FDX eMRAM客户样片的多项目晶圆正在如期进行中,并将在2018年第一季度交付,且计划于2018年底进行风险量产。格芯及其设计合作伙伴已推出eMRAM定制设计服务,包括从2Mb到32Mb容量的eMRAM,并提供设计便捷的嵌入式闪存和静态随机存储器接口选项。                 201792792515198782_148x8620140107114250_5390

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